Gebruiksaanwijzing /service van het product 3SK318 van de fabrikant Renesas
Ga naar pagina of 8
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 7 3SK318 Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier REJ03G0819-0200 (Previous ADE-208-6 00) Rev.2.00 Aug.10.2005 Features • Low noise characteristics; (NF= 1.4 dB typ. at f= 900 MHz) • Excellent cross m odulation c haracteristics • Capable low v oltage operati on; +B= 5V Outline 1.
3SK318 Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 2 of 7 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ° C) Item Symbol Ratings Unit Drain to source voltage V DS 6 V Gate1 to source voltage V G1S ±6 V Gate2 to source voltage V.
3SK318 Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 3 of 7 200 150 100 50 0 50 100 150 200 Channel Power Dissipation Pch (mW) Ambient Temperature Ta ( ° C) Maximum Channel Power Dissipation Curve 0 24 6 8 10 V G2S = 3 V Drain to Source Voltage V DS (V) Drain Current I D (mA) Typical Output Characteristics 4 8 12 16 20 0.
3SK318 Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 4 of 7 5 4 3 2 1 0 51 0 1 5 2 0 25 25 20 15 10 5 0 24 6 8 1 0 Drain Current I D (mA) Noise Figure NF (dB) Noise Figure vs. Drain Current Power Gain vs. Drain to Source Voltage Power Gain PG (dB) Drain to Source Voltage V DS (V) V DS = 3.
3SK318 Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 5 of 7 V DS = 3.5 V , V G2S = 3 V I D = 10mA V DS = 3.5 V , V G2S = 3 V I D = 10mA V DS = 3.5 V , V G2S = 3 V I D = 10mA V DS = 3.5 V , V G2S = 3 V I D = 10mA 10 5 4 3 2 1.5 1 .8 –2 –3 –4 –5 –10 .6 .4 .2 0 –.
3SK318 Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 6 of 7 S Parameter (V DS = 3.5V, V G2S = 3V, I D = 10mA, Zo = 50 Ω ) S11 S21 S12 S22 Freq. (MHz) MAG. ANG. MA G. ANG. MAG. ANG. MAG. A NG. 50 1.000 –2.8 2.41 176.3 0.00068 89.1 0.999 –2.2 100 0.998 –5.8 2.41 171.
3SK318 Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 7 of 7 Package Dimensions A S M x S y e e 2 b 1 A EH E L L 1 Q c D B B b AA b 1 b 3 c 1 c B-B Section Pattern of terminal position areas b 4 l 1 b 5 l 1 e 1 e 2 e A 3 L P S A A 2 A 1 A A 1 A 2 b b 1 c c 1 D E e H E L L P x y b 4 e 1 l 1 Q 0.
Keep safety first in your circuit designs! 1. Renesas Technology Corp. puts the maximum effort into making semiconductor products better and more reliable, but there is always the possibility that trouble may occur with them. Trouble with semiconductors may lead to personal injury, fire or property damage.
Een belangrijk punt na aankoop van elk apparaat Renesas 3SK318 (of zelfs voordat je het koopt) is om de handleiding te lezen. Dit moeten wij doen vanwege een paar simpele redenen:
Als u nog geen Renesas 3SK318 heb gekocht dan nu is een goed moment om kennis te maken met de basisgegevens van het product. Eerst kijk dan naar de eerste pagina\'s van de handleiding, die je hierboven vindt. Je moet daar de belangrijkste technische gegevens Renesas 3SK318 vinden. Op dit manier kan je controleren of het apparaat aan jouw behoeften voldoet. Op de volgende pagina's van de handleiding Renesas 3SK318 leer je over alle kenmerken van het product en krijg je informatie over de werking. De informatie die je over Renesas 3SK318 krijgt, zal je zeker helpen om een besluit over de aankoop te nemen.
In een situatie waarin je al een beziter van Renesas 3SK318 bent, maar toch heb je de instructies niet gelezen, moet je het doen voor de hierboven beschreven redenen. Je zult dan weten of je goed de alle beschikbare functies heb gebruikt, en of je fouten heb gemaakt die het leven van de Renesas 3SK318 kunnen verkorten.
Maar de belangrijkste taak van de handleiding is om de gebruiker bij het oplossen van problemen te helpen met Renesas 3SK318 . Bijna altijd, zal je daar het vinden Troubleshooting met de meest voorkomende storingen en defecten #MANUAl# samen met de instructies over hun opplosinge. Zelfs als je zelf niet kan om het probleem op te lossen, zal de instructie je de weg wijzen naar verdere andere procedure, bijv. door contact met de klantenservice of het dichtstbijzijnde servicecentrum.
