Gebruiksaanwijzing /service van het product nvSRAM van de fabrikant Cypress
Ga naar pagina of 24
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N 2 Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-1709 • 408-943-2600 Document #: 001-45754 Rev .
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 2 of 24 Pinout s Figure 1. Pin Diagram - 48 FBG A Figure 2. Pin Diag ram - 44 Pin TSOP II 48-FBGA (not to scale) Top View (x8) 48-F.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 3 of 24 Figure 3. Pin Diagram - 54 Pi n TSOP II (x16) Pin Definitions Pin Name IO T ype Description A 0 – A 17 Input Address Inputs Used to Select one of the 262,144 bytes of the nvSRAM for x8 Co nfiguration .
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 4 of 24 Device Operation The CY14B102L/CY1 4B102N nvSRAM is made up of two functional components paired in the same physical cell. They are an SRAM memory cell and a nonvola tile QuantumTrap cell.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 5 of 24 completion of the STORE operation, the CY14B102L/CY14B102N remains disab led until the HSB pin returns HIGH.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 6 of 24 Preventing AutoStore The AutoS t ore function is disabled by initiating an AutoS tore disable sequence. A sequence of read ope rations is performed in a manner similar to the software STORE initiation.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 7 of 24 Maximum Ratin gs Exceeding maximum ratings may impair the useful life of the device. These user guid elines are not tested. S torage T emperature .......... .................
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 8 of 24 AC T est Conditions Input Pulse Levels ......... ............... .............. .............. 0V to 3V Input Rise and Fall T imes (10% - 90%)...... .............. .... < 3 ns Input and Output T iming Reference Levels .
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 9 of 24 AC Switching Characteristics Parameters Description 20 ns 25 ns 45 ns Unit Cypress Parameters Alt Parameters Min Max Min Ma.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 10 of 24 Figure 7. SRAM Read Cycl e #2: CE and OE Controlled [3, 15, 19] Figure 8.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 1 1 of 24 Figure 9. SRAM Write Cycle #2: CE Controlled [3 , 18, 19, 20] Figure 10.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 12 of 24 AutoStore/Power Up RECALL Parameters Descrip tion 20 ns 25 ns 45 ns Unit Min Max Min Max Min Max t HRECALL [21] Power Up R.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 13 of 24 Sof tware Controlled STORE/RECALL Cycle In the following table, the so ftware c o ntrolled STORE/RECALL cycle p arameters are listed.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 14 of 24 Hardware STORE Cycle Parameters Descrip tion 20 ns 25 ns 45 ns Unit Min Max Min Max Min Max t DHSB HSB T o Outp ut Active .
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 15 of 24 T ruth T able For SRAM Operations HSB should remain HIGH for SRAM Operations.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 16 of 24 Ordering Information Speed (ns) Ordering Code Package Diagram Package T yp e Operating Range 20 CY14B102L-ZS20XCT 51-85087.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 17 of 24 25 CY14B102L-ZS25XCT 51-85087 44-pin TSOP II Commercial CY14B102L-ZS25XIT 51-85087 44-p in TSOP II Industrial CY14B102L-ZS.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 18 of 24 45 CY14B102L-ZS45XCT 51-85087 44-pin TSOP II Commercial CY14B102L-ZS45XIT 51-85087 44-p in TSOP II Industrial CY14B102L-ZS.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 19 of 24 Part Numbering Nomenclature Option: T - T ape & Reel Blank - S td. S peed: 20 - 20ns 45 - 45 ns Data Bus : L - x8 N - x16 Density: 102 - 2 Mb V oltage: B - 3.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 20 of 24 Package Diagrams Figure 16. 44-Pin TSOP II (51-85087) MAX MIN. DIMENSION IN MM (INCH) 11.938 (0.470) PLANE SEATING PIN 1 I.D. 44 1 18.517 (0.729) 0.800 BSC 0° -5° 0.400(0.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 21 of 24 Figure 17. 48 -Ball FBGA - 6 mm x 10 m m x 1.2 mm (51 -85128) Package Diagrams (continued) A 1 A1 CORNER 0.75 0.75 Ø0.30±0.05(48X) Ø0.25 M C A B Ø0.05 M C B A 0.15(4X) 0.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 22 of 24 Figure 18. 54-Pin TSOP II (51-85160) Package Diagrams (continued) 51-85160 -** [+] Feedback.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 23 of 24 Document History Page Document Title: CY14B102L/CY14B102N 2 Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM Document Number: 001-45754 Rev .
Document #: 001-45754 Rev . *B Revised November 10, 2008 Page 24 of 24 AutoS tore and QuantumT rap are registe red trademarks of Simtek Co rporation. All product s and company name s mentioned in this doc ument are the tr ademarks of thei r respective hol ders.
Een belangrijk punt na aankoop van elk apparaat Cypress nvSRAM (of zelfs voordat je het koopt) is om de handleiding te lezen. Dit moeten wij doen vanwege een paar simpele redenen:
Als u nog geen Cypress nvSRAM heb gekocht dan nu is een goed moment om kennis te maken met de basisgegevens van het product. Eerst kijk dan naar de eerste pagina\'s van de handleiding, die je hierboven vindt. Je moet daar de belangrijkste technische gegevens Cypress nvSRAM vinden. Op dit manier kan je controleren of het apparaat aan jouw behoeften voldoet. Op de volgende pagina's van de handleiding Cypress nvSRAM leer je over alle kenmerken van het product en krijg je informatie over de werking. De informatie die je over Cypress nvSRAM krijgt, zal je zeker helpen om een besluit over de aankoop te nemen.
In een situatie waarin je al een beziter van Cypress nvSRAM bent, maar toch heb je de instructies niet gelezen, moet je het doen voor de hierboven beschreven redenen. Je zult dan weten of je goed de alle beschikbare functies heb gebruikt, en of je fouten heb gemaakt die het leven van de Cypress nvSRAM kunnen verkorten.
Maar de belangrijkste taak van de handleiding is om de gebruiker bij het oplossen van problemen te helpen met Cypress nvSRAM . Bijna altijd, zal je daar het vinden Troubleshooting met de meest voorkomende storingen en defecten #MANUAl# samen met de instructies over hun opplosinge. Zelfs als je zelf niet kan om het probleem op te lossen, zal de instructie je de weg wijzen naar verdere andere procedure, bijv. door contact met de klantenservice of het dichtstbijzijnde servicecentrum.
