Gebruiksaanwijzing /service van het product CY7C1292DV18 van de fabrikant Cypress Semiconductor
Ga naar pagina of 23
9-Mbit QDR- II™ SRAM 2-W ord Burst Architecture CY7C1292DV18 CY7C1294DV18 Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Cou rt • San Jose , CA 95134-1 709 • 408-943-2 600 Document #: 001-00350 Rev .
CY7C1292DV18 CY7C1294DV18 Document #: 001-00350 Rev . *A Page 2 of 23 Logic Block Diagram (CY7C1292DV18) CLK A (17:0) Gen. K K Control Logic Address Register D [17:0] Read Add. Decode Read Data Reg. RPS WPS Q [17:0] Control Logic Address Register Reg.
CY7C1292DV18 CY7C1294DV18 Document #: 001-00350 Rev . *A Page 3 of 23 Pin Configurations CY7C1292DV18 (5 12K x 18) 23 4 5 6 7 1 A B C D E F G H J K L M N P R A CQ NC NC NC NC DOFF NC NC/144M NC/36M BW.
CY7C1292DV18 CY7C1294DV18 Document #: 001-00350 Rev . *A Page 4 of 23 Pin Definitions Pin Name I/O Pin Descrip tion D [x:0] Input- Synchronous Data input signals, sampled on the rising edge of K and K clocks d uring va lid write operations . CY7C1292DV18 - D [1 7:0] CY7C1294DV18 - D [3 5:0] WPS Input- Synchronous Write Port Select, active LOW .
CY7C1292DV18 CY7C1294DV18 Document #: 001-00350 Rev . *A Page 5 of 23 Functional Overview The CY7C1292DV18 a nd CY7C1294DV1 8 are synchronou s pipelined Burst SRAMs equipp ed with both a Read port and a Write port. The Read port is dedicated to Read operations and the Write port is dedicated to Write operations.
CY7C1292DV18 CY7C1294DV18 Document #: 001-00350 Rev . *A Page 6 of 23 Byte Write Operations Byte Write operations are supported by the CY7C1292DV18. A Write operation is initiated as described in the Write Opera- tions section above. The bytes that are w ritten are determined by BWS 0 and BWS 1 , which are sampled with each 18-bit da ta word.
CY7C1292DV18 CY7C1294DV18 Document #: 001-00350 Rev . *A Page 7 of 23 Application Example [1] T ruth T able [2, 3, 4, 5, 6, 7] Operation K RPS WPS DQ DQ Write Cycle: Load address on the rising e dge of K clock; i nput write data on K and K rising edges.
CY7C1292DV18 CY7C1294DV18 Document #: 001-00350 Rev . *A Page 8 of 23 Write Cycl e Descriptions (CY7C1294DV18 ) [2, 8] BWS 0 BWS 1 BWS 2 BWS 3 KK Comments L L L L L-H - During the Data portion of a Write sequence, all four bytes (D [35:0] ) are written into the device.
CY7C1292DV18 CY7C1294DV18 Document #: 001-00350 Rev . *A Page 9 of 23 IEEE 1 149.1 Serial Boundary Scan (JT AG) These SRAMs incorporate a serial bo undary scan test access port (T AP) in the FBGA package. This part is fully compliant with IEEE S tandard #1 149.
CY7C1292DV18 CY7C1294DV18 Document #: 001-00350 Rev . *A Page 10 of 23 IDCODE The IDCODE instruction causes a ven dor-specific, 32-bit code to be loaded into the instruction re gister .
CY7C1292DV18 CY7C1294DV18 Document #: 001-00350 Rev . *A Page 1 1 of 23 Note: 9. The 0/1 next to each state re present s the value at TMS at the rising edge of TCK.
CY7C1292DV18 CY7C1294DV18 Document #: 001-00350 Rev . *A Page 12 of 23 T AP Controller Block Diagram 0 0 1 2 . . 29 30 31 Boundary Scan Register Identification Register 0 1 2 .
CY7C1292DV18 CY7C1294DV18 Document #: 001-00350 Rev . *A Page 13 of 23 T AP AC Switching Characteristics Over the Operating Range [13, 14] Parameter Description Min.
CY7C1292DV18 CY7C1294DV18 Document #: 001-00350 Rev . *A Page 14 of 23 Identification Register Definitions Instruction Field Va l u e Description CY7C1292DV18 CY7C1294DV18 Revision Number (31:29) 000 000 V ersion number . C y p r e s s D e v i c e I D ( 2 8 : 1 2 ) 1 101001 10100101 10 1 101001 10101001 10 D e f i n e s t h e t y p e o f S R A M .
CY7C1292DV18 CY7C1294DV18 Document #: 001-00350 Rev . *A Page 15 of 23 Boundary Scan Order Bit # Bum p ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID 0 6R 27 1 1H 54 7B 81 3G 1 6P 28 10G 55 6B 82 2G 26 .
CY7C1292DV18 CY7C1294DV18 Document #: 001-00350 Rev . *A Page 16 of 23 Power-Up Sequence in QDR-II SRAM [16] QDR-II SRAMs must be powered up and initialized in a predefined manner to prevent undefined opera tions.
CY7C1292DV18 CY7C1294DV18 Document #: 001-00350 Rev . *A Page 17 of 23 Maximum Ratings (Above which the useful life may be impaired.) S torage T emperature ............. .............. ...... –65°C to +150°C Ambient T emperature with Power Applied .
CY7C1292DV18 CY7C1294DV18 Document #: 001-00350 Rev . *A Page 18 of 23 Note: 22. Unless otherwise noted, test conditions assume sign al transiti on time of 2V/ns, timing reference levels of 0.75V , Vr ef = 0.75V , RQ = 250 Ω , V DDQ = 1.5V , input pulse levels of 0.
CY7C1292DV18 CY7C1294DV18 Document #: 001-00350 Rev . *A Page 19 of 23 Switching Characteristics Over the Operating Range [22, 23] Cypress Parameter Consortium Parameter Descriptio n 250 MHz 200 MHz 16 7 MHz Unit Min.
CY7C1292DV18 CY7C1294DV18 Document #: 001-00350 Rev . *A Page 20 of 23 Switching W aveforms [27, 28, 29] Read/Write/Deselect Sequence Notes: 27. Q00 refers to outp ut from address A0. Q01 refers to output from t he next internal burst addr ess following A0, i.
CY7C1292DV18 CY7C1294DV18 Document #: 001-00350 Rev . *A Page 21 of 23 Ordering Information Not all of the spee d, package and temperature ranges are a vailable. Please c ontact your local sales representative or visit www .cyp ress.com for actual pr oducts offered.
CY7C1292DV18 CY7C1294DV18 Document #: 001-00350 Rev . *A Page 22 of 23 © Cypress Semi con duct or Cor po rati on , 20 06 . The information con t a in ed he re i n is su bject to change wit hou t n otice.
CY7C1292DV18 CY7C1294DV18 Document #: 001-00350 Rev . *A Page 23 of 23 Document History Page Document Title: CY7C1292DV18/CY7C1294DV18 9-Mbit QDR- II™ SRAM 2-Word Burst Architecture Document Number: 001-00350 REV .
Een belangrijk punt na aankoop van elk apparaat Cypress Semiconductor CY7C1292DV18 (of zelfs voordat je het koopt) is om de handleiding te lezen. Dit moeten wij doen vanwege een paar simpele redenen:
Als u nog geen Cypress Semiconductor CY7C1292DV18 heb gekocht dan nu is een goed moment om kennis te maken met de basisgegevens van het product. Eerst kijk dan naar de eerste pagina\'s van de handleiding, die je hierboven vindt. Je moet daar de belangrijkste technische gegevens Cypress Semiconductor CY7C1292DV18 vinden. Op dit manier kan je controleren of het apparaat aan jouw behoeften voldoet. Op de volgende pagina's van de handleiding Cypress Semiconductor CY7C1292DV18 leer je over alle kenmerken van het product en krijg je informatie over de werking. De informatie die je over Cypress Semiconductor CY7C1292DV18 krijgt, zal je zeker helpen om een besluit over de aankoop te nemen.
In een situatie waarin je al een beziter van Cypress Semiconductor CY7C1292DV18 bent, maar toch heb je de instructies niet gelezen, moet je het doen voor de hierboven beschreven redenen. Je zult dan weten of je goed de alle beschikbare functies heb gebruikt, en of je fouten heb gemaakt die het leven van de Cypress Semiconductor CY7C1292DV18 kunnen verkorten.
Maar de belangrijkste taak van de handleiding is om de gebruiker bij het oplossen van problemen te helpen met Cypress Semiconductor CY7C1292DV18 . Bijna altijd, zal je daar het vinden Troubleshooting met de meest voorkomende storingen en defecten #MANUAl# samen met de instructies over hun opplosinge. Zelfs als je zelf niet kan om het probleem op te lossen, zal de instructie je de weg wijzen naar verdere andere procedure, bijv. door contact met de klantenservice of het dichtstbijzijnde servicecentrum.
